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PCM遭遇容量瓶颈 堆栈技术有望解决难题

发布时间:2019-06-10 16:15 来源:未知 编辑:admin

  英特尔和Numonyx发布了一个新的方式来建立垂直堆栈的相变内存而不会失去性能。(《英特尔宣称PCM技术取得突破 最小5纳米》)

  相变存储器(PCM)是一个实验性的内存技术,其具有非易失性,位寻址的性能,这就不同于闪存。PCM可以以更小的尺寸来制作。

  相变存储器的材料可以由非晶体状态变成晶体,而且可以再变回非晶体。在这一过程中,其非晶体和晶体状态呈现不同的反光特性和电阻特性,因此可以利用非晶态和晶态分别代表0和1来存储数据。

  Numonyx一直在PCM的研发上进行着努力,三星也是一样。Numonyx发布了128Mbit的PCM芯片,三星则已经发布了了512Mbit的产品。据猜测,Numonyx在增加PCM容量方面进展较为困难,其曾经尝试过多级单元技术,但是发现访问速度变得会很慢。

  正如所发布的一样,英特尔和Numonyx的研发工程师展示了64Mb的测试芯片。其在PCM序列的顶层采用了Ovonic Threshold Switch(OTS)堆栈。工程师们表示,这一演示为PCM的多层、垂直堆栈工序开启了一扇大门,这将在不损失访问速度的前提下增加容量。

  这一演示可能为Numonyx已经陷入僵局的工作注入新的活力。Numonyx以及可以看到超越三星512Mb容量的曙光。

  但演示只是在这样一个单一实体的堆叠下完成的,下一步工程师们需要验证PCM的层堆栈。英特尔与Numonyx的工程师必须对他们的工作有信心。明年我们可能会听到PCM堆栈的更多消息。

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